فروشگاه قطعات الکترونیک

ترانزیستورهای MOSFET

انواع ترانزیستورهای اثر میدانی FET و MOSFET و JFET در این شاخه قرار دارند

با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
لطفا اگر در پارامترهای اعلام شد...

انواع ترانزیستورهای اثر میدانی FET و MOSFET و JFET در این شاخه قرار دارند

با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن را در بخش نظرات همان محصول اعلام نمایید تا سریعتر اصلاح گردد.

همچنین اگر فکر می کنید که پارامتر مفیدی در انتخاب قطعات در وبسایت وجود ندارد، به ما اعلام نمایید تا آن را اضافه نماییم.

تیم فنی و پشتیبانی آی سی کالا قبلا از توجه و پشتیبانی شما سپاسگذار می باشد.
بیشتر
ترانزیستورهای MOSFET

571 محصول وجود دارد.

جستجوی هوشمند ترانزیستورهای Mosfet

قیمت

نوع نصب

نوع ترانزیستور

حداکثر Vds (ولت)

حداکثر Vgs به (ولت)

حداکثر Id (آمپر)

حداکثر توان مصرفی ( وات )

پهنای باند ترانزیستور(MHz)

حداقل (Vgs(th به ( ولت )

حداکثر (Vgs(th به ( ولت )

rdsON به (اهم)

حداکثر (rDS(ON به ( اهم )

هیچ شرطی از این فیلتر در این گروه موجود نیست

حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه )

حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه )

حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه )

حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه )

در صفحه
  • ترانزیستور 2N4416 یک ترانزیستور JFETs نوع N-CHANNEL بسیار کم نویز با عدد نویز 2dB است که در ساخت طبقه اول تقویت کننده...

    موجودی انبار 47 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    118,000 ریال 118000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور JFET N-channel
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) : 4
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 2
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 0.1
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 15
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 6
    rdsON به (اهم) : 150
    Package : TO-72
  • ترانزیستور 3sk228 یک N-Channel Dual Gate با توان12 وات و ولتاژ 12 ولت و جریان 0.05 آمپر با کاربرد در تقویت کننده...

    موجودی انبار 50 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    123,000 ریال 123000

    مشخصات

    نوع نصب : SMD
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.15
    حداکثر Vgs به (ولت) : -6
    حداکثر Vds (ولت) : 12
    حداکثر Id (آمپر) : 0.05
  • ترانزیستور 6N60L-TF3-T بدنه پلاستیکی از نوع N-channel با توان 40 وات  و ولتاژ 600 ولت و جریان 6.2 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 45 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    35,000 ریال 35000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 90
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 50
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 150
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 40
    حداکثر Vgs به (ولت) : 30
    حداکثر Vds (ولت) : 600
    حداکثر Id (آمپر) : 6.2
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO220F
  • ترانزیستور 6N60L-TA3-T بدنه فلزی از نوع N-channel با توان 125 وات  و ولتاژ 600 ولت و جریان 6.2 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 50 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    40,000 ریال 40000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 90
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 50
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 150
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 40
    حداکثر Vgs به (ولت) : 30
    حداکثر Vds (ولت) : 600
    حداکثر Id (آمپر) : 6.2
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO220
  • ترانزیستور IRF520 از نوع N-CHannel با ولتاژ 100 ولت و جریان 9.2 آمپر و توان 100 وات می باشد.

    موجودی انبار 97 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    30,000 ریال 30000

    مشخصات

    نوع نصب : DIP
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 60
    حداکثر Vds (ولت) : 100
    حداکثر Id (آمپر) : 9.2
    Package : TO220
  • ترانزیستور STD4NK60Z ماسفت از نوع N-CH  با تحمل توان 70 وات و لتاژ 600 ولت  و جریان 4 آمپر نوع dip و پکیج ipak می باشد.

    موجودی انبار 99 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    28,000 ریال 28000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 29
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 12
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 9.5
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 16.5
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 70
    حداکثر Vgs به (ولت) : 30
    حداکثر Vds (ولت) : 600
    حداکثر Id (آمپر) : 16
    rdsON به (اهم) : 8
    Package : IPAK
  • ترانزیستور IRF6665 از نوع N-CHannel با تحول توان42 وات ولتاژ100 ولت و جریان 19 آمپر برای تقویت کننده های صوتی دیجیتال...

    موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
    50,000 ریال 50000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 14
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 7.4
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 2.8
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 4.3
    نوع نصب : SMD
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 42
    حداکثر Vgs به (ولت) : 20
    حداکثر Vds (ولت) : 100
    حداکثر Id (آمپر) : 19
    rdsON به (اهم) : 0.053
  • 2SK1020 یک ترانزیستور ماسفت MOSFET نوع N با تحمل ولتاژ 500 ولت و جریان 30 آمپر و توان 300 وات می باشد.

    موجودی انبار 10 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    170,000 ریال 170000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 125
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 90
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 450
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 450
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت سریع MOS
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 300
    حداکثر Vgs به (ولت) : 900
    حداکثر Vds (ولت) : 500
    حداکثر Id (آمپر) : 30
    rdsON به (اهم) : 0.25
    Package : TO-3P
  • ترانزیستور IRFD9014 از نوع P-CHannel با تحمل ولتاژ 60 ولت جریان 1.1 آمپر و توان 1.3 وات و مقاومت داخلی 0.5 اهم می باشد.

    موجودی انبار 40 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
    37,000 ریال 37000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : P-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 11
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 63
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 31
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1.3
    حداکثر Vgs به (ولت) : 4
    حداکثر Vds (ولت) : 60
    حداکثر Id (آمپر) : 1.1
    rdsON به (اهم) : 0.5
    Package : DIP-4
  • ترانزیستور IRFD220 از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت جریان 0.8 آمپر و توان 1 وات و مقاومت داخلی 0.8 اهم می باشد.

    موجودی انبار 40 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
    7,000 ریال 7000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 19
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 7.2
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 22
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 13
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دیود حفاظتی : دارد
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1.3
    حداکثر Vgs به (ولت) : 4
    حداکثر Vds (ولت) : 200
    حداکثر Id (آمپر) : 0.8
    rdsON به (اهم) : 0.8
    Package : DIP-4
  • ترانزیستور MTP2P50E از نوع P-CHannel  با تحمل ولتاژ 500 ولت  و جریان 2 آمپر پکیج TO220 می باشد.

    موجودی انبار 6 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    60,000 ریال 60000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : P-Channel
    نوع نصب : DIP
    حداکثر Vds (ولت) : 500
    حداکثر Id (آمپر) : 2
    Package : TO220
  • آی سی NJM3548TA2 یک UNIVERSAL SOURCE DRIVER با تحمل جریان 2 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 20 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    250,000 ریال 250000

    مشخصات

    نوع نصب : DIP
    حداکثر Id (آمپر) : 2
  • ترانزیستور 10N50 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با تحمل ولتاژ 500 ولت و جریان 10 آمپر برای کاربرد در سیستم...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 290
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 67
    حداکثر زمان بازیابی معکوس Trr به ( نانو ثانیه ) : 50
    ولتاژ شکست درین سورس BVdss به ( ولت ) : 500
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 170
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 165
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) : 2096
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 230
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 24
    شارژ گیت به سورس Qgs به ( nC ) : 7.5
    شارژ گیت به درین "اثر میلر" Qgd به ( nC ) : 18.5
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 62.5
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 0.83
    حداکثر شارژ بازیابی معکوس QRR به ( uC ) : 0.1
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 100
    حداکثر جریان پیوسته سورس به درین Isd به ( آمپر ) : 10
    حداکثر جریان پالسی سورس به درین Isdm به ( آمپر ) : 40
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 143
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : +2
    rdsON به (اهم) : 0.61
    Package : TO-220
  • ترانزیستور IRF833 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با قابلیت سوییچ زنی سریع و با تحمل ولتاژ 450 ولت و جریان 10...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 200
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 50
    ولتاژ شکست درین سورس BVdss به ( ولت ) : 450
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 100
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) : 1200
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 300
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 80
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 500
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 2.5
    حداکثر Vgso ( ولت ) : 20
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4.5
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : 1.5
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO-220AB
  • ترانزیستور P4NA80 یا STP4NA80 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL  سریع با تحمل ولتاژ 800 ولت...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 85
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 40
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 100
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    حداکثر Vgs به (ولت) : 30
    حداکثر Vds (ولت) : 800
    حداکثر Id (آمپر) : 4
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 3.75
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : 2.25
    rdsON به (اهم) : 6
    Package : TO-220
  • ترانزیستورTSیک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با قابلیت سوییچ زنی سریع و با تحمل ولتاژ 980 ولت و...

    موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    226,000 ریال 226000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 23
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 35
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 230
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 75
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 100
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 20
    حداکثر Vgso ( ولت ) : 20
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : +2
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO-220AB
  • ترانزیستور SFF9240 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع P-CHANNEL با قابلیت سوییچ زنی سریع و با تحمل ولتاژ...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 200
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 50
    ولتاژ شکست درین سورس BVdss به ( ولت ) : 450
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 100
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) : 1200
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 300
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 80
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 500
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 2.5
    حداکثر Vgso ( ولت ) : 20
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4.5
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : 1.5
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO-220AB
  • ترانزیستور IRF530N یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با قابلیت سوییچ زنی سریع و با تحمل ولتاژ 100 ولت...

    موجودی انبار 72 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
    12,000 ریال 12000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 23
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 35
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 230
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 75
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 100
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 20
    حداکثر Vgso ( ولت ) : 20
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : +2
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO-220AB
  • ترانزیستورIRFP250 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با قابلیت سوییچ زنی سریع و با تحمل ولتاژ 200 ولت...

    موجودی انبار 20 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    40,000 ریال 40000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 23
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 35
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) : 230
    ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) : 75
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) : 100
    حداکثر جریان اشباع درین یا Idss ( میلی آمپر ) : 20
    حداکثر Vgso ( ولت ) : 20
    حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 4
    حداقل (Vgs(th به ( ولت ) : +2
    rdsON به (اهم) : 1.5
    Package : TO-220AB
  • IRF740 یک ترانزیستور Mosfet قدرت با ولتاژ 400 ولت و جریان 10 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 181 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    40,000 ریال 40000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر Vds (ولت) : 400
    حداکثر Id (آمپر) : 10
  • یک ترانزیستور Mosfet قدرت با ولتاژ 400 ولت و جریان 10 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 2 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    196,000 ریال 196000

    مشخصات

    حداکثر Vds (ولت) : 400
    حداکثر Id (آمپر) : 10
  • 2N5460 یک ترانزیستور mosfet سیگنال کوچک با تحمل ولتاژ 40 ولت و جریان 0.005 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 8 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    123,000 ریال 123000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : P-Channel
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : J-FET
    نوع : صنعتی
    حداکثر عدد نویز (dB) : 2.5
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.35
    حداکثر Vgs به (ولت) : 4
    حداکثر Vds (ولت) : 40
    حداکثر Id (آمپر) : 0.005
    Package : TO-92
  • 2N7000 یک ترانزیستور Mosfet توان متوسط اورجینال با تحمل ولتاژ 60 ولت و جریان 0.2 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 410 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 10 قلم
    4,000 ریال 4000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : N-Channel
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 10
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 10
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور JFET N-channel
    نوع : صنعتی
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.4
    حداکثر Vgs به (ولت) : 40
    حداکثر Vds (ولت) : 60
    حداکثر Id (آمپر) : 0.2
    rdsON به (اهم) : 5.3
    Package : TO-92
  • 2SJ49 یک ترانزیستور ماسفت MOSFET قدرت P-channel با تحمل ولتاژ140 ولت و جریان 7 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    206,000 ریال 206000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : P-Channel
    حداکثر زمان خاموش شدن Toff به ( نانو ثانیه ) : 110
    حداکثر زمان روشن شدن Ton به ( نانو ثانیه ) : 230
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور فدرت MOSFET
    نوع : صنعتی
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 100
    حداکثر Vgs به (ولت) : 14
    حداکثر Vds (ولت) : 140
    حداکثر Id (آمپر) : 7
    Package : TO-3
نمایش 1 - 24 از 571 قلم کالا

فهرست محصولات

بازدید شده

بدون محصول
بستن
مقایسه 0