فروشگاه قطعات الکترونیک

ترانزیستورهای BJT

در این شاخه ترانزیستورهای BJT قرار دارند

با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن...

در این شاخه ترانزیستورهای BJT قرار دارند

با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن را در بخش نظرات همان محصول اعلام نمایید تا سریعتر اصلاح گردد.

همچنین اگر فکر می کنید که پارامتر مفیدی در انتخاب قطعات در وبسایت وجود ندارد، به ما اعلام نمایید تا آن را اضافه نماییم.

تیم فنی و پشتیبانی آی سی کالا قبلا از توجه و پشتیبانی شما سپاسگذار می باشد.
بیشتر
ترانزیستورهای BJT

809 محصول وجود دارد.

جستجوی هوشمند ترانزیستورهای BJT

قیمت

نوع نصب

حداکثر Ic (آمپر)

حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت )

حداکثر VEBO به ( ولت )

حداکثر توان مصرفی ( وات )

حداکثر Hfe

بهره جریان ترانزیستور ، Hfe

حداقل Hfe

حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت )

حداکثر جریان Icm ( آمپر )

پهنای باند ترانزیستور(MHz)

در صفحه
  • ترانزیستور bd911 یک ترانزیستور قدرت سیلیکونی BJT مکمل دار نوع NPN با تحمل ولتاژی 100 ولت و جریان 15 آمپر...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 100
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2.5
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 1.4
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 5000
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 1000
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 90
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
    حداکثر Ic (آمپر) : 15
    حداکثر Hfe : 250
    حداقل Hfe : 5
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 3
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 3
    Package : TO-220
  • BP103-1

    BP103-1 یک فوتو ترانزیستور سیلسکونی نوع npn با تحل ولتاژ 35 ولت و جریان 0.1 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    14,200 تومان 14200

    مشخصات

  • ترانزیستور TIP116 از نوع NPN با توان 50 وات و با ولتاژ 80 ولت با تحمل جریان 2 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 477 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
    1,500 تومان 1500

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 80
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
    حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 4
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 50
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 380
    حداکثر Ic (آمپر) : 2
    حداکثر Hfe : 1000
    حداقل Hfe : 500
    Package : TO-220
  • BD433 یک ترانزیستور bjt نوع pnp با تحل ولتاژ 22 ولت و جریان 4 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 94 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    8,000 تومان 8000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط مکمل دار
    نوع : صنعتی
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 7
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 115
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 22
    حداکثر Ic (آمپر) : 15
    حداکثر Hfe : 70
    حداقل Hfe : 5
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 1
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 20
    VCEsat : 60
    Package : TO-3
  • ترانزیستور BFR96TS یک ترانزیستور مایکرویو NPN با ولتاژ 20 ولت و جریان 0.1 آمپر و توان 0.7 وات وفرکانس 5 گیگاهرتز و...

    موجودی انبار 8 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    7,200 تومان 7200

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : SMD
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 40°C ~ +125°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.7
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 2.5
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 5000
    Package : TO-50
  • ترانزیستور 2SA1020 از نوع PNP با توان 0.9 وات  و جریان 2 آمپر و ولتاژ 50 ولت  فرکانس 100 مگاهرتز با پکیج TO-92MOD می...

    موجودی انبار 500 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 10 قلم
    750 تومان 750

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 50
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.9
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر Ic (آمپر) : 2
    حداکثر Hfe : 70
    حداقل Hfe : 40
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 70
    VCEsat : 0.5
    Package : TO-92MOD
  • ترانزیستور TIP36CW از نوع PNP با توان 90 وات و با ولتاژ 100 ولت با تحمل جریان 25 آمپر می باشد.

    موجودی انبار 201 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    2,500 تومان 2500

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    نوع نصب : DIP
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 100
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 90
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 140
    حداکثر Ic (آمپر) : 25
    حداقل Hfe : 20
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 3
    Package : TO-218
  • ترانزیستور 2SC2625 از نوع NPN با تحمل توان80 وات و ولتاژ 400 ولت و جریان 10 آمپر می باشد

    موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    12,500 تومان 12500

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : -40 ~ +125
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 400
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.5
    حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 10
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 80
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
    حداکثر Ic (آمپر) : 10
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 10
    VCEsat : 1.2
    Package : TO-3P
  • ترانزیستور ST901T یک ترانزیستور دارلینگتون قدرت silicon مکمل دار BJT نوع NPN با تحمل توان 45 وات و ولتاژی 350 ولت و...

    موجودی انبار 42 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    2,400 تومان 2400

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور دارلینگتون توان متوسط silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 500
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 1.78
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 5
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 5000
    حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 8
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 35
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 1.8
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
    حداکثر Ic (آمپر) : 4
    حداکثر Hfe : 3500
    حداقل Hfe : 500
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 500
    VCEsat : 2
    Package : TO-220
  • ترانزیستور 2N2484 یک ترانزیستور سیلوکون BJT نوع NPN با تحمل ولتاژ 60 ولت و جریان 50 میلی آمپر.

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 486
    حداکثر عدد نویز (dB) : 3
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
    حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 0.05
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 60
    حداکثر Hfe : 800
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.5
    حداقل Hfe : 20
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 60
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 300
    VCEsat : 0.35
    Package : TO-18
  • ترانزیستور 2N4401 یک ترانیستور سیلیکون عمومی نوع NPN با تحمل ولتاژ 40 ولت و جریان 600 میلی آمپر.

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 225
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 15
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 20
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 83.3
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.625
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 60
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.6
    حداکثر Hfe : 300
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.75
    حداقل Hfe : 20
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 250
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 0.75
    Package : TO-92
  • ترانزیستور 2SC2235 یک  ترانزیستور BJT سیلیکون نوع NPN با کاربرد در درایور  تقویت کننده های صوتی و تحمل ولتاژ 120 ولت...

    موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    700 تومان 700

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 120
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 0.1
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.1
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.6
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 120
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.8
    حداکثر Hfe : 240
    حداقل Hfe : 80
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 120
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 1
    Package : TO-92NL
  • ترانزیستور 2SA1013 یک  ترانزیستور BJT سیلیکونی نوع PNP با تحمل ولتاژ -160 ولت و جریان 1- آمپر با کاربرد در سوییچینگ...

    موجودی انبار 2 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    700 تومان 700

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 160
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.75
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 1
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 1
    حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.5
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.9
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 160
    حداکثر Ic (آمپر) : 1
    حداکثر Hfe : 200
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.45
    حداقل Hfe : 60
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 1
    Package : TO-92MOD
  • ترانزیستور 2SA1930 یک ترانزیستور ژاپنی BJT سیلیکونی نوع PNP با توان 20 وات و  تحمل ولتاژ 180- ولت و جریان 2- آمپر.

    موجودی انبار 36 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    8,200 تومان 8200

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.5
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
    حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 1
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 20
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر Ic (آمپر) : 2
    حداکثر Hfe : 320
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.68
    حداقل Hfe : 50
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 200
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
    VCEsat : 1
    Package : SC-67
  • ترانزیستور bc107 یک  ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با تحمل...

    موجودی انبار 24 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    1,300 تومان 1300

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
    ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
    حداکثر عدد نویز (dB) : 10
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 50
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    حداکثر Hfe : 450
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
    حداقل Hfe : 40
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 230
    VCEsat : 0.6
    Package : TO-18
  • ترانزیستور bc108 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با...

    موجودی انبار 88 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    1,200 تومان 1200

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
    ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
    حداکثر عدد نویز (dB) : 10
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 30
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    حداکثر Hfe : 520
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
    حداقل Hfe : 40
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 110
    VCEsat : 0.6
    Package : TO-18
  • ترانزیستور bc109 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با...

    موجودی انبار 100 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 2 قلم
    1,300 تومان 1300

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
    ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
    حداکثر عدد نویز (dB) : 4
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 30
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    حداکثر Hfe : 800
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
    حداقل Hfe : 40
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 350
    VCEsat : 0.6
    Package : TO-18
  • ترانزیستور bc140 یک ترانزیستور توان متوسط BJT با کاربرد سوییچینگ و تقویت کننده نوع NPN با تحمل توان 80...

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 850
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 250
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 80
    حداکثر Ic (آمپر) : 1
    حداکثر Hfe : 250
    حداقل Hfe : 30
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    Package : TO-39
  • ترانزیستور bc141 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد سوییچینگ و تقویت کننده نوع NPN با تحمل توان 100 ولت...

    موجودی انبار 6 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    800 تومان 800

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 850
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 250
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
    حداکثر Ic (آمپر) : 1
    حداکثر Hfe : 250
    حداقل Hfe : 30
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 1
    Package : TO-39
  • ترانزیستور bc160 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد عمومی نوع PNP با تحمل توان 40- ولت و جریان 1.5- آمپر.

    موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    2,600 تومان 2600

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 650
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 500
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.7
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 40
    حداکثر Ic (آمپر) : 1
    حداکثر Hfe : 250
    حداقل Hfe : 30
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
    VCEsat : 1
    Package : TO-39
  • ترانزیستور bc337 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد تقویت کننده های صوتی Audio Frequency...

    موجودی انبار 407 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    200 تومان 200

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 90
    حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 1.5
    حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 1.5
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1.4
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.8
    حداکثر Hfe : 630
    حداقل Hfe : 40
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
    VCEsat : 0.7
    Package : TO-92F
  • ترانزیستور BCY79 یک ترانزیستور BJT  سیلیکونی کم نویز  با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ  نوع PNP با تحمل...

    موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    11,900 تومان 11900

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 600
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 100
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 65
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.75
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 450
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 150
    حداکثر عدد نویز (dB) : 10
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 10
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.02
    حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.2
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 45
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    حداکثر Hfe : 400
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.6
    حداقل Hfe : 30
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
    VCEsat : 0.8
    Package : TO-18
  • ترانزیستور bcy59 یک  ترانزیستور BJT  سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف...

    موجودی انبار 20 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    18,000 تومان 18000

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : NPN
    حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 400
    حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 150
    حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 50
    حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 200
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
    نوع : صنعتی
    ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 5
    ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 15
    دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
    حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 200
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 10
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
    حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.2
    حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 45
    حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
    حداکثر Hfe : 1000
    حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.6
    حداقل Hfe : 60
    پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 150
    VCEsat : 0.7
    Package : TO-18
  • ترانزیستور bd680 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد عمومی نوع PNP با تحمل ولتاژی 80- ولت و جریان 4- آمپر.

    موجودی انبار 1 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
    700 تومان 700

    مشخصات

    نوع ترانزیستور : PNP
    نوع نصب : DIP
    نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط مکمل دار
    نوع : صنعتی
    دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 80
    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2.5
    حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 3.13
    حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 2000
    حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
    حداکثر VCBO به( ولت ) : 80
    حداکثر Ic (آمپر) : 4
    حداقل Hfe : 1
    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 750
    VCEsat : 2.8
    Package : TO-225AA
نمایش 1 - 24 از 809 قلم کالا

فهرست محصولات

تولید کننده‌ها

بازدید شده

بدون محصول
بستن
مقایسه 0