فروشگاه قطعات الکترونیک

>
  • قطعات و تجهیزات الکترونیکی
  • >
  • ترانزیستور، IGBT و Mosfet
  • >
  • ترانزیستورهای BJT
    • ترانزیستورهای BJT

    در این شاخه ترانزیستورهای BJT قرار دارند

    با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

    در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
    لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن...

    در این شاخه ترانزیستورهای BJT قرار دارند

    با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید.

    در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است.
    لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن را در بخش نظرات همان محصول اعلام نمایید تا سریعتر اصلاح گردد.

    همچنین اگر فکر می کنید که پارامتر مفیدی در انتخاب قطعات در وبسایت وجود ندارد، به ما اعلام نمایید تا آن را اضافه نماییم.

    تیم فنی و پشتیبانی آی سی کالا قبلا از توجه و پشتیبانی شما سپاسگذار می باشد.
    بیشتر
    ترانزیستورهای BJT

    809 محصول وجود دارد.

    جستجوی هوشمند ترانزیستورهای BJT

    قیمت

    >=
    <=

    نوع نصب

    حداکثر Ic (آمپر)

    >=
    <=

    حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت )

    >=
    <=

    حداکثر VEBO به ( ولت )

    >=
    <=

    حداکثر توان مصرفی ( وات )

    >=
    <=

    حداکثر Hfe

    >=
    <=

    بهره جریان ترانزیستور ، Hfe

    >=
    <=

    حداقل Hfe

    >=
    <=

    حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت )

    >=
    <=

    حداکثر جریان Icm ( آمپر )

    >=
    <=

    پهنای باند ترانزیستور(MHz)

    >=
    <=
    در صفحه
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bd911 یک ترانزیستور قدرت سیلیکونی BJT مکمل دار نوع NPN با تحمل ولتاژی 100 ولت و جریان 15 آمپر...

      استعلام قیمت 4100
      موجود نیست
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 100
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2.5
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 1.4
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 5000
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 1000
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 90
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
      حداکثر Ic (آمپر) : 15
      حداکثر Hfe : 250
      حداقل Hfe : 5
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 3
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 3
      Package : TO-220
    • جزئیات و دیتاشیت
      BP103-1

      BP103-1 یک فوتو ترانزیستور سیلسکونی نوع npn با تحل ولتاژ 35 ولت و جریان 0.1 آمپر می باشد.

      موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      14,200 تومان 14200
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور TIP116 از نوع NPN با توان 50 وات و با ولتاژ 80 ولت با تحمل جریان 2 آمپر می باشد.

      موجودی انبار 477 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 4 قلم
      1,500 تومان 1500
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 80
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
      حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 4
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 50
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 380
      حداکثر Ic (آمپر) : 2
      حداکثر Hfe : 1000
      حداقل Hfe : 500
      Package : TO-220
    • جزئیات و دیتاشیت

      BD433 یک ترانزیستور bjt نوع pnp با تحل ولتاژ 22 ولت و جریان 4 آمپر می باشد.

      موجودی انبار 94 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      8,000 تومان 8000
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط مکمل دار
      نوع : صنعتی
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 7
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 115
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 22
      حداکثر Ic (آمپر) : 15
      حداکثر Hfe : 70
      حداقل Hfe : 5
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 1
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 20
      VCEsat : 60
      Package : TO-3
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور BFR96TS یک ترانزیستور مایکرویو NPN با ولتاژ 20 ولت و جریان 0.1 آمپر و توان 0.7 وات وفرکانس 5 گیگاهرتز و...

      موجودی انبار 8 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      7,200 تومان 7200
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : SMD
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 40°C ~ +125°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.7
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 2.5
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 5000
      Package : TO-50
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2SA1020 از نوع PNP با توان 0.9 وات  و جریان 2 آمپر و ولتاژ 50 ولت  فرکانس 100 مگاهرتز با پکیج TO-92MOD می...

      موجودی انبار 500 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 10 قلم
      750 تومان 750
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      نوع نصب : DIP
      نوع : صنعتی
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 50
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.9
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر Ic (آمپر) : 2
      حداکثر Hfe : 70
      حداقل Hfe : 40
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 70
      VCEsat : 0.5
      Package : TO-92MOD
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور TIP36CW از نوع PNP با توان 90 وات و با ولتاژ 100 ولت با تحمل جریان 25 آمپر می باشد.

      موجودی انبار 201 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      2,500 تومان 2500
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      نوع نصب : DIP
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 100
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 90
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 140
      حداکثر Ic (آمپر) : 25
      حداقل Hfe : 20
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 3
      Package : TO-218
    • جزئیات و دیتاشیت
      جدید

      ترانزیستور 2SC2625 از نوع NPN با تحمل توان80 وات و ولتاژ 400 ولت و جریان 10 آمپر می باشد

      موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      12,500 تومان 12500
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : -40 ~ +125
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 400
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.5
      حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 10
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 80
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
      حداکثر Ic (آمپر) : 10
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 10
      VCEsat : 1.2
      Package : TO-3P
    • جزئیات و دیتاشیت
      جدید

      ترانزیستور ST901T یک ترانزیستور دارلینگتون قدرت silicon مکمل دار BJT نوع NPN با تحمل توان 45 وات و ولتاژی 350 ولت و...

      موجودی انبار 42 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      2,400 تومان 2400
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور دارلینگتون توان متوسط silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 500
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 1.78
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 5
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 5000
      حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 8
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 35
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 1.8
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
      حداکثر Ic (آمپر) : 4
      حداکثر Hfe : 3500
      حداقل Hfe : 500
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 500
      VCEsat : 2
      Package : TO-220
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2N2484 یک ترانزیستور سیلوکون BJT نوع NPN با تحمل ولتاژ 60 ولت و جریان 50 میلی آمپر.

      استعلام قیمت 700
      موجود نیست
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 486
      حداکثر عدد نویز (dB) : 3
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
      حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 0.05
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 60
      حداکثر Hfe : 800
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.5
      حداقل Hfe : 20
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 60
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 300
      VCEsat : 0.35
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2N4401 یک ترانیستور سیلیکون عمومی نوع NPN با تحمل ولتاژ 40 ولت و جریان 600 میلی آمپر.

      استعلام قیمت 100
      موجود نیست
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 225
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 15
      حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 20
      حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 30
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 83.3
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.625
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 60
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.6
      حداکثر Hfe : 300
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.75
      حداقل Hfe : 20
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 250
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 0.75
      Package : TO-92
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2SC2235 یک  ترانزیستور BJT سیلیکون نوع NPN با کاربرد در درایور  تقویت کننده های صوتی و تحمل ولتاژ 120 ولت...

      موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      700 تومان 700
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 120
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 0.1
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.1
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.6
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 120
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.8
      حداکثر Hfe : 240
      حداقل Hfe : 80
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 120
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 1
      Package : TO-92NL
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2SA1013 یک  ترانزیستور BJT سیلیکونی نوع PNP با تحمل ولتاژ -160 ولت و جریان 1- آمپر با کاربرد در سوییچینگ...

      موجودی انبار 2 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      700 تومان 700
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 160
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.75
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 1
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 1
      حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.5
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.9
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 160
      حداکثر Ic (آمپر) : 1
      حداکثر Hfe : 200
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.45
      حداقل Hfe : 60
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 1
      Package : TO-92MOD
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور 2SA1930 یک ترانزیستور ژاپنی BJT سیلیکونی نوع PNP با توان 20 وات و  تحمل ولتاژ 180- ولت و جریان 2- آمپر.

      موجودی انبار 36 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      8,200 تومان 8200
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.5
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 150
      حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 1
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 20
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر Ic (آمپر) : 2
      حداکثر Hfe : 320
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.68
      حداقل Hfe : 50
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 200
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
      VCEsat : 1
      Package : SC-67
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc107 یک  ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با تحمل...

      موجودی انبار 24 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      1,300 تومان 1300
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
      ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
      حداکثر عدد نویز (dB) : 10
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 6
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 50
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      حداکثر Hfe : 450
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
      حداقل Hfe : 40
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 230
      VCEsat : 0.6
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc108 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با...

      موجودی انبار 88 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      1,200 تومان 1200
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
      ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
      حداکثر عدد نویز (dB) : 10
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 30
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      حداکثر Hfe : 520
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
      حداقل Hfe : 40
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 110
      VCEsat : 0.6
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc109 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز برای تقویت کننده های صوتی نوع NPN مکمل دار ، با...

      موجودی انبار 100 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 2 قلم
      1,300 تومان 1300
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 6
      ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 12
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 20
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.7
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 500
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
      حداکثر عدد نویز (dB) : 4
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 175
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 15
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.75
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 30
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      حداکثر Hfe : 800
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.55
      حداقل Hfe : 40
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 350
      VCEsat : 0.6
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc140 یک ترانزیستور توان متوسط BJT با کاربرد سوییچینگ و تقویت کننده نوع NPN با تحمل توان 80...

      استعلام قیمت 800
      موجود نیست
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 850
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 250
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 80
      حداکثر Ic (آمپر) : 1
      حداکثر Hfe : 250
      حداقل Hfe : 30
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      Package : TO-39
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc141 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد سوییچینگ و تقویت کننده نوع NPN با تحمل توان 100 ولت...

      موجودی انبار 6 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      800 تومان 800
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 850
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 250
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 50°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 60
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 100
      حداکثر Ic (آمپر) : 1
      حداکثر Hfe : 250
      حداقل Hfe : 30
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 1
      Package : TO-39
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc160 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد عمومی نوع PNP با تحمل توان 40- ولت و جریان 1.5- آمپر.

      موجودی انبار 30 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      2,600 تومان 2600
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 650
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 500
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 40
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.7
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 219
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 44
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 4
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 40
      حداکثر Ic (آمپر) : 1
      حداکثر Hfe : 250
      حداقل Hfe : 30
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 50
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 100
      VCEsat : 1
      Package : TO-39
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bc337 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد تقویت کننده های صوتی Audio Frequency...

      موجودی انبار 407 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      200 تومان 200
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 200
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 90
      حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 1.5
      حداکثر جریان Icm ( آمپر ) : 1.5
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1.4
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.8
      حداکثر Hfe : 630
      حداقل Hfe : 40
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
      VCEsat : 0.7
      Package : TO-92F
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور BCY79 یک ترانزیستور BJT  سیلیکونی کم نویز  با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ  نوع PNP با تحمل...

      موجودی انبار 3 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      11,900 تومان 11900
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 600
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 100
      حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 65
      حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 100
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 0.75
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 450
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 150
      حداکثر عدد نویز (dB) : 10
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 10
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.02
      حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.2
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 45
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      حداکثر Hfe : 400
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.6
      حداقل Hfe : 30
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 100
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 200
      VCEsat : 0.8
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bcy59 یک  ترانزیستور BJT  سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف...

      موجودی انبار 20 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      18,000 تومان 18000
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : NPN
      حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 400
      حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 150
      حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 50
      حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 200
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور silicon مکمل دار
      نوع : صنعتی
      ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) : 5
      ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) : 15
      دمای کاری(سانتیگراد) : 65°C ~ +200°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 45
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 1.2
      حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) : 200
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) : 10
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 0.01
      حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 0.2
      حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 7
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 45
      حداکثر Ic (آمپر) : 0.1
      حداکثر Hfe : 1000
      حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 0.6
      حداقل Hfe : 60
      پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 150
      VCEsat : 0.7
      Package : TO-18
    • جزئیات و دیتاشیت

      ترانزیستور bd680 یک ترانزیستور توان متوسط BJT مکمل دار با کاربرد عمومی نوع PNP با تحمل ولتاژی 80- ولت و جریان 4- آمپر.

      موجودی انبار 1 قلم حداقل تعداد قابل سفارش: 1 قلم
      700 تومان 700
      افزودن به سبد خرید
      افزودن به لیست علاقه‌مندی‌ها
      افزودن به لیست مقایسه

      مشخصات

      نوع ترانزیستور : PNP
      نوع نصب : DIP
      نوع عملکرد ( Function Type) : ترانزیستور BJT توان متوسط مکمل دار
      نوع : صنعتی
      دمای کاری(سانتیگراد) : 55°C ~ +150°C-
      حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 80
      حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 2.5
      حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 3.13
      حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 2000
      حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
      حداکثر VCBO به( ولت ) : 80
      حداکثر Ic (آمپر) : 4
      حداقل Hfe : 1
      بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 750
      VCEsat : 2.8
      Package : TO-225AA
    نمایش 1 - 24 از 809 قلم کالا

    فهرست محصولات

    تولید کننده‌ها

    بازدید شده

    بدون محصول
    بستن
    مقایسه 0