آرایه ترانزیستورهای MOSFET و FET آی سی های آرایه ترانزیستورهای MOSFET و FET با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید. در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است. لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن... آی سی های آرایه ترانزیستورهای MOSFET و FET با استفاده از امکان جستجوی پیشرفته و انتخاب محدوده مقادیر پارامترهای مورد نیاز خود، به راحتی می توانید قطعات و حتی معادل آنها را پیدا نمایید. در بیان پارامترها، فقط پارامترهای اساسی که توسط آنها می توان به سرعت قطعات را انتخاب کرد آمده است. لطفا اگر در پارامترهای اعلام شده در وبسایت اشتباهی می بینید آن را در بخش نظرات همان محصول اعلام نمایید تا سریعتر اصلاح گردد. همچنین اگر فکر می کنید که پارامتر مفیدی در انتخاب قطعات در وبسایت وجود ندارد، به ما اعلام نمایید تا آن را اضافه نماییم. تیم فنی و پشتیبانی آی سی کالا قبلا از توجه و پشتیبانی شما سپاسگذار می باشد. بیشتر

8 کالا

• 

  جزئیات و دیتاشیت

  FS8205A

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  24,000 ریال 24000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : TSSOP-8(HTSSOP-8)

  نوع ترانزیستور : N-Channel

  حداکثر Vds (ولت) : 20

  حداکثر Vgs به (ولت) : 12

  حداکثر Id (آمپر) : 6

  حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 1

  حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 1

  rdsON به (اهم) : 0.035

  تعداد مدارات : 2
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  TD62503F

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  271,000 ریال 271000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  D4538G

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  1,416,000 ریال 1416000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  IRF7341

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  211,000 ریال 211000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : SOIC-8

  نوع ترانزیستور : N-Channel

  حداکثر Vds (ولت) : 55

  حداکثر Vgs به (ولت) : 20

  حداکثر Id (آمپر) : 3.8

  حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 2

  حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 20

  rdsON به (اهم) : 0.05

  حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 12

  حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 48

  حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 4.8

  حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 20
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  PHC2300

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  634,000 ریال 634000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : SO-8

  نوع ترانزیستور : NP-CHannel
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  BF998

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  سفارش خارج 224000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : SOT-143B

  نوع : صنعتی

  نوع ترانزیستور : N-CH-dual gate

  حداکثر Vds (ولت) : 12

  حداکثر Vgs به (ولت) : 2

  حداکثر Id (آمپر) : 30

  حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.2

  پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 800
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  IRF7313

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  سفارش خارج 354000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : SOIC-8

  نوع ترانزیستور : N-Channel

  حداکثر Vds (ولت) : 30

  حداکثر Vgs به (ولت) : 20

  حداکثر Id (آمپر) : 6.5

  حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 2

  حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 20

  rdsON به (اهم) : 0.029

  حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 12

  حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 39

  حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 13

  حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 26
• 

  جزئیات و دیتاشیت

  IRF5852TR

  افزودن به لیست پروژه ها

  افزودن به لیست مقایسه

  سفارش خارج 123000

  مشخصات

  نوع نصب : SMD

  Package : TSOP-6

  نوع ترانزیستور : NP-CHannel

  حداکثر Vds (ولت) : 20

  حداکثر Vgs به (ولت) : 20

  حداکثر Id (آمپر) : 6.5

  حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 0.96

  حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) : 20

  rdsON به (اهم) : 0.120

  حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) : 6.6

  حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) : 15

  حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) : 1.2

  حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) : 2.4