مشخصات
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
0.4
پهنای باند ترانزیستور(MHz) :
80
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) :
50
حداکثر VCBO به( ولت ) :
60
حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) :
1
حداکثر VEBO به ( ولت ) :
5
بهره جریان ترانزیستور ، Hfe :
100
نوع عملکرد ( Function Type) :
ترانزیستور silicon مکمل دار
حداکثر عدد نویز (dB) :
10
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) :
125
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) :
0.1
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) :
0.1
دمای کاری(سانتیگراد) :
-55 to 125